仪器品牌：日立
仪器型号：TM4000Plus II
功能与用途: 该设备主要用于各类微观样品表面形貌、组织结构进行快速检测以及其元素成份分析，具有高低真空成像模式；（1）可对金属和其他导体以及作导电喷涂处理后的样品采用高真空模式成像；（2）对未经导电喷镀处理的非导电样品可进行原始状态下的观察，并保持样品的原始形貌，得到真正的表面形貌；（3）对含水量较高的样品，可以在冷冻辅助下观测形貌；（4）配备能谱分析，可以对微区元素定性定量分析；（5）配备离子溅射仪，可满足无导电物质喷溅Au需求。
主要技术指标：
1.发射源：钨灯丝电子枪；
2.电子光学分辨率优于10nm；
3.加速电压范围：20kV,15kV 10kV, 5kV；
4.电子放大倍数范围：10x－100,000x，连续可调；
5.背散射电子检测器，检测器窗口数目: ≥4个；具有BSE图像（成份、阴影1、阴影2、凹凸像）；
6.任何真空下，二次电子和背散射可同一位置双画面同时成像观察；
7.抽真空时间：≤1分钟；
8.样品移动范围：X：±20mm、Y：±17.5mm；
9.最大样品尺寸：可放置最大样品厚度：≥50mm（高度）；单个最大样品尺寸：≥80mm（直径）；
10.两个标准模式/减轻放电模式，BSE/SE都具有多种低真空观察模式（导体模式3～5Pa、标准模式30Pa、减轻荷电模式50Pa），空气浓度可调；
11.探测器晶体获取面积：至少30mm2；
12.能谱探测窗口是Si3N4（无窗更优）；
13.控温样品杯范围：-25°C～+50°C ；
14.离子溅射仪：溅射速率：10 nm/min（靶材与样品距离30 mm），18 nm/min(靶材与样品距离25 mm)。
