设备信息与技术指标

1.设备型号：Thermoscientific Helios 5 CX

2.配置与技术指标

2.1扫描电子束（SEM）成像：15 kV时，分辨率0.6 nm；1 kV时，分辨率1.0 nm； STEM成像，30 kV时，分辨率0.5 nm。

2.2离子束成像与微加工：液态Ga离子源；加速电压：0.5 kV-30 kV；30 kV时分辨率2.5 nm；配置Pt、W、C三种气体源。

2.3能谱仪：牛津AZtecLive UltimMax 170能谱仪，可实现材料成分分析。

2.4二次离子质谱仪（TOF-SIMS）为材料三维化学与分子信息表征提供重要技术支撑。

设备能力与特色

1.可对材料进行微纳结构表征与加工、透射电镜样品定点制备（特别是为原位透射电镜样品制备提供了重要保障）等。

2.该设备电子束成像（扫描电镜）性能优异，配备探测器齐全，包括SE、BSE、MD、ICD、ICE、STEM等，可多种信号同时成像，因此可满足部分扫描电镜测试需求。

3.配置的STEM探测器，可实现透射成像，满足纳米材料透射（内部）成像需求，可作为部分纳米材料（放大倍数要求不高与低电压需求）透射电镜测试的替代。

4.二次离子质谱分析对于轻元素（氢、锂、硼和碳等）更灵敏，可用于同位素分析，为材料三维化学和分子信息表征提供重要技术支撑。